2021年11月5日下午，受高等研究院周晔研究员的邀请，浙江大学佘小健教授来到高等研究院进行访问并开展了学术交流。本场学术讲座由周晔研究员主持，众多师生参与并聆听了该讲座。

下午3:00，佘小健教授在致腾楼201会议室进行了题为“薄膜晶体管及其功能化应用的器件物理及性能提升”的报告。薄膜晶体管是柔性光电应用的重要器件平台之一。近年来佘小健教授从器件物理、器件设计和器件制备这三方面开展研究，追求高稳定性、高迁移率、高响应速度和低功耗的TFT及其功能化应用。在讲座中，佘小健教授首先简述了栅极聚合物分子结构中的共轭基团为隧穿电流的发生提供量子态载体从而加剧偏压电流衰减效应的器件物理机制，并展现规避该机制实现的高稳定性低功耗有机TFT及其电路应用。然后详述了一种能够实现高速编程的新型TFT非易失性存储器器件的发明。主要通过缩短有效栅控制域尺寸，保证隧穿界面为双极型通道，且维持器件单极型电流电压工作特性这三方面来实现。最后，佘小健教授重点详述了一种重铸界面上钙钛矿晶体结构来去除界面缺陷态结构并抑制离子移动，实现其晶体管常温下可靠工作且具备高迁移率的方法。

嘉宾简介：佘小健教授，籍贯江苏，在苏州大学获得物理学学士和硕士学位，在英国剑桥大学（卡文迪许实验室)获得物理学博士学位(师从英国皇家科学院院士Henning Sirringhaus),后任剑桥大学（卡文迪许实验室)访问研究员。2020年8月入选浙江大学“百人计划”海外高层次人才系列，加入浙江大学光电科学与工程学院，Tenure-track Professor、Principle Investigator，获浙江大学2020年求是之光荣誉。2020年10月被邀请为日本东京大学(产业技术研究院)客座协力研究员。长期从事基于场效应薄膜晶体管(Thin Film Transistor,简称为TFT)的器件研究多年，主要以实现高稳定性、高迁移率、高响应速度以及低功耗的TFT及其功能化应用为目标，开展TFT器件物理研究、新型TFT结构设计研究以及TFT制备工艺研究。在基于有机半导体及有机无机杂化半导体的场效应光电器件研究领域已发表16篇论文于Nature Electronics、Nature Photonics、Advanced Materials、 IEEE Electron Device Letters、Organic Electronics、ACS Applied Materials & Interfaces、 Applied Physics Letters等期刊。担任多家学术期刊审稿人，担任国际光电子创新大会(ICOEO)等学术会议组织委员会成员。