近日，深圳大学高等研究院李秀婷研究员课题组受邀在国际期刊Current Opinion in Electrochemistry（JCR:Q1; IF:7.6）上发表题为“Voltammetric determination of electronic structure of quantum dots”的综述论文。
电子结构对半导体量子点的物理化学性质方面起着重要作用，并且高性能量子点器件的制造依赖于量子点电子结构的准确测量，而伏安法可以有效实现对量子点能级的测量。因此，本文首先回顾和讨论了伏安法检测能级的基本原理、主要实验方法和挑战等。另外，由于用来调控量子点电子结构的方法多种多样，常用的方法包括调整尺寸、表面修饰和改变量子点的成分等，进一步总结了最近几年基于伏安法去研究这三种效应的一些经典工作。最后，对于伏安法测量能级的未来研究方向和挑战，我们基于该方法的理论基础和实验技术两方面提出了见解。
图1. (a) 用于确定能级的峰值电位和起始电位的示意图。 (b)伏安法测量能级的两种量子点样品制备方法
深圳大学高等研究院李秀婷研究员为该文章的通讯作者，深圳大学高等研究院材料科学与工程专业的研究生冼龙斌和张小琳是该论文的第一作者，深圳大学高等研究院为唯一完成单位。该研究得到国家自然科学基金委和广东省教育厅的项目支持。
原文链接：https://doi.org/10.1016/j.coelec.2022.101022
