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高等研究院任意同学在顶级期刊Adv. Funct. Mater.发表论文

2019-10-29

近日,深圳大学高等研究院周晔研究员课题组任意同学在顶级期刊Adv. Funct. Mater.(影响因子:15.6, 中科院JCR一区TOP)上发表了题为“Recent Advances inAmbipolar Transistors for Functional Applications”的综述论文,被编辑选为封面文章。这是任意同学第二次在Adv. Funct. Mater.以第一作者身份发表论文,首篇研究论文“Gate‐TunableSynaptic Plasticity through Controlled Polarity of Charge Trapping in FullereneComposites”于201812月以卷首论文发表。

 

本论文讨论了双极型晶体管的能级排列、操作原理以及不同因素例如半导体材料、界面特性以及电极接触对双极型电学表现的影响。总结了不同类型的双极型半导体材料的电学特性以及优缺点,最后介绍了双极型晶体管的四个功能性应用(双极型闪存、突触晶体管、逻辑器件以及发光晶体管)并强调了不同的材料体系与应用系统接下来面临的一系列挑战以及可能的解决方案。

 

任意同学是高等研究院2014级本科生,获得深圳大学荣誉学士学位,目前在高等研究院攻读研究生。他2016年暑假进入实验室,利用三年多的时间积累了丰厚的研究经验,已在半导体器件类权威期刊Adv. Funct. Mater.J. Mater. Chem. C.Adv. Intell. Syst.等发表4篇第一作者论文,其中在Adv. Intell. Syst.上发表的研究论文被选为创刊号正封面。周晔研究员和韩素婷副教授为上述论文的通讯作者,该研究得到了国家自然科学基金、教育部、广东省科技厅、广东省教育厅、深圳市科创委的资助,深圳大学为唯一通讯单位。

 

研究成果链接:https://onlinelibrary.wiley.com/doi/abs/10.1002/adfm.201902105

 左图:任意同学在实验室               右图:成果当选AFM封面文章 

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