近日，周晔研究员课题组在Wiley旗下材料领域顶级期刊Adv. Funct. Mater.（影响因子：18.808, 中科院JCR一区TOP）上发表了题为“Building Functional Memories and Logic Circuits with 2D Boron Nitride”的综述论文。深圳大学为唯一完成单位，课题组刘小桐博士为文章的第一作者，周晔研究员为通讯作者。
二维材料的合成路线和制备技术的快速发展推动了微纳电子存储器件的快速发展，并在半导体研究领域取得了突破性进展。六方氮化硼（h-BN）具有优异的化学、机械和光学性能，已被证明有潜力克服缩放限制，以取代在二端或三端器件中使用的厚电介质。使用原子级厚度的h-BN或h-BN范德华异质结构有望提高存储器件的可靠性、容量和功能性。本文综述了具有易失性和非易失性的h-BN存储器的最新进展，将存储器扩展到功能应用，并讨论了基于h-BN的存储器和逻辑电路的进一步发展挑战。
本研究得到了国家自然科学基金、广东省科技厅以及深圳市科创委等机构的资助。
论文链接：https://onlinelibrary.wiley.com/doi/epdf/10.1002/adfm.202004733
