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周晔团队在自然指数期刊《Advanced Functional Materials》发表研究论文:忆阻器的离子迁移

2025-06-11

2025年4月29日,周晔教授团队在自然指数期刊《Advanced Functional Materials》发表了题为“Incorporating MXene in Perovskite for Modulating Ion Migration and Enhancing Object Detection”的研究论文。该论文探讨了钙钛矿忆阻器的离子迁移。课题组研究生牛文标为第一作者,周晔教授、丁光龙助理教授为通讯作者,深圳大学为第一完成单位。

由于高功耗、有限的电阻可调性以及主要由不可控的离子迁移引起的复杂导电机制,钙钛矿忆阻器在实际应用中面临挑战。在本研究中,将MXene纳米片掺入到基于甲基铵铅碘化物的忆阻器中,以调节碘离子(I⁻)和银离子(Ag⁺)的迁移行为。MXene纳米片可以将Ag⁺离子的迁移势垒从0.45 eV降低到0.31 eV,主要是由于Pb²⁺与MXene表面功能团之间的桥接效应。因此,可以实现更低的工作电压。另一方面,MXene还可以作为I⁻离子积累的储存库,导致离子迁移的逐渐发生以及在重复电压刺激下稳定的多重电阻状态。在此,Ag⁺和I⁻离子的迁移过程被认为分别主导器件的数字和模拟开关行为,从而使其在数据存储和类脑计算中的应用具有长时间保持、高器件均匀性、多可区分的电阻状态以及高物体检测准确率(98.9%)。此项研究得到国家自然科学基金、英国皇家化学会、射频异质异构集成全国重点实验室自主课题、广东省基础与应用基础研究基金、深圳市科创局的资助。

原文链接:https://advanced.onlinelibrary.wiley.com/doi/10.1002/adfm.202501877


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