2025年5月12日，周晔教授团队应邀在《Nature Electronics》发表观点文章：二维晶体管的接触间距缩放。该论文聚焦二维晶体管的最新进展，对同期发表于《Nature Electronics》的研究论文“Channel and contact length scaling of two-dimensional transistors using composite metal electrodes”进行了评论。团队陈雪博士为第一作者，周晔教授为通讯作者，深圳大学为第一完成单位。
传统硅基场效应晶体管的进一步小型化受到短通道效应的阻碍。研究表明，二维半导体可以缓解这些问题。来自复旦大学和绍芯实验室的研究团队展示了通过复合金属电极实现的具有约60纳米接触间距的二维晶体管。接触间距在集成密度中的重要性不言而喻，通常被忽视的这一指标在优化器件性能中起着关键作用。研究中使用了金/钛/镍（Au/Ti/Ni）复合金属接触，镍的形状保持效应有助于缩短接触长度，而复合材料则保持了低电阻，约为镍/金接触的一个数量级。这种方法使得通道和接触长度均可缩小至30纳米，从而实现60纳米的接触间距。尽管研究成果为通过复合金属接触创造缩放的二维晶体管提供了有效策略，但仍需深入探讨接触电极的质量和复合金属接触的厚度，以提高器件性能和良率。此外，MoS₂的大规模合成与转移、晶体质量的影响以及p型MoS₂的实现也是未来研究的关键挑战。
原文链接：https://www.nature.com/articles/s41928-025-01383-5
